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立式爐
         立式爐主要適用于6"、8"、12"晶圓的氧化、合金、退火等工藝。
        氧化是在中高溫下通入特定氣體(O2/H2/DCE),在硅片表面發(fā)生氧化反應(yīng),生成二氧化硅薄膜的一種工藝。生成的二氧化硅薄膜可以作為集成電路器件前道的緩沖介質(zhì)層和柵氧化層等。
        退火是在中低溫條件下,通入惰性氣體(N2),消除硅片界面處晶格缺陷和晶格損傷,優(yōu)化硅片界面質(zhì)量的一種工藝。
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用于IC集成電路、MEMS、電力電子器件、光電子器件等領(lǐng)域。
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